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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	生命周期状态	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	供应商器件包装	材料	终端数量	晶体管元件材料															Maximum Drain Source Resistance (MOhm)								厂商																																						操作温度	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	子类别	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	引脚数量	参考标准	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	箱体转运	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	极性/通道类型	连续放电电流(ID)	JEDEC-95代码	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压
JANTX2N6758	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Production (Last Updated: 2 years ago)	通孔	NO	2	SILICON	25.53(Max)	7.74(Max)	通孔	Military	150	-55	35(Max)	60(Max)	490@10V	80(Max)	40(Max)	75000	600@25V	39(Max)	39(Max)@10V	9		±20	200	1	Enhancement	HEXFET	功率MOSFET	无	无	8541.29.00.95	EAR99	不合规	8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080	1	Non-Compliant	9 A	5.18	INFINEON TECHNOLOGIES AG	活跃	Infineon Technologies AG	ROUND	JANTX2N6758	无	150 °C	未说明	METAL	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2					通孔	TO-204AE	TO-204-AA	Tab	2	39.37(Max)			e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	150 °C	-55 °C	雪崩额定		FET 通用电源		BOTTOM	PIN/PEG	未说明	compliant	3	MIL-19500/542	O-MBFM-P2	Qualified	Single	增强型MOSFET	75 W	DRAIN		SWITCHING					N-CHANNEL	6 A	TO-204AA	20 V	9 A	0.49 Ω	200 V	36 A	200 V	N	54 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W	400 mΩ	无	含铅
JANSH2N7481U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	60@12V	Military		表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead										不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	22	50(Max)@12V	1005@25V	75000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150					Obsolete													3				Single																			N
JANTXVR2N7465U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1390@12V	400	1	Enhancement	无	无															活跃																	Single																			N
IRHNJ57234SESCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1										供应商未确认	无	无	250	10	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5							活跃													3																							N
JANSR2N7588T3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1									100	20		750000							活跃																																				N
JANSF2N7587U3C	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	42@12V	7.64(Max)	3	SMD-0.5											供应商未确认	无	无	Enhancement	1	100	22	750000	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)					活跃													3				Single																			N
JANTX2N7224U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	81@10V	150		Military	表面贴装	3.58(Max)	16(Max)	11.55(Max)	3	SMD	SMD-1										不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	34	125(Max)@10V	125(Max)	3700@25V	150000	130(Max)	190(Max)	170(Max)	35(Max)	-55					活跃													3				Single																			N
SPACE DATA PACK-JANSR2N7545U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	205@12V	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD	SMD-0.5	No Lead										不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	12.5	45(Max)@12V	1372@25V	75000	100(Max)	55(Max)	30(Max)	25(Max)	-55	150	表面贴装	2.61(Max)						活跃													3				Single																			P
DATA-2N7237JANTX	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	520@10V	35(Max)	-55	150		Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔										不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	11	60(Max)@10V	60(Max)	1200@25V	125000	65(Max)	85(Max)	85(Max)					活跃													3				Single																			P
JANSR2N7471T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	14@12V	35(Max)	-55	150		Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔										不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	100	±20	45	160(Max)@12V	6270@25V	208000	50(Max)	125(Max)	75(Max)					活跃													3				Single																			N
IRHLNA77064SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1						不合规		出口接触方式	60	56	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2										活跃													3																							N
IRHYS597034CM	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	87@12V	75000	50(Max)	65(Max)	75(Max)		25(Max)	-55	150	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA	通孔										不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	60	±20	4	20	100	10	45(Max)@12V	1560@25V					活跃													3				Single																			P
JANSR2N7270	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	500@12V	150	Military		通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔										不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	11	150(Max)@12V	4000@25V	150000	130(Max)	190(Max)	190(Max)	45(Max)	-55					活跃													3				Single																			N
JANSF2N7431U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	18@12V		表面贴装	3.06(Max)	19.81(Max)	12.82(Max)	3	SMD	SMD-3										不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	75	270(Max)@12V	4900@25V	300000	100(Max)	120(Max)	120(Max)	27(Max)	-55	150	Military					活跃													3				Single																			N
JANSF2N7422U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	85@12V		表面贴装	3.07(Max)	11.55(Max)	16(Max)	3	SMD	SMD-1										不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100	±20	22	200(Max)@12V	4300@25V	150000	190(Max)	170(Max)	190(Max)	40(Max)	-55	150	Military					活跃													3				Single																			P
JANTX2N6800U	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	15	SILICON	Enhancement	1	400	±20	3	33(Max)@10V	33(Max)	1150@10V	660@25V	25000	35(Max)	35(Max)	55(Max)	30(Max)	-55		150	Military	表面贴装	3.22(Max)	7.49(Max)	9.14(Max)	18	LLCC	LLCC	No Lead	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	JANTX2N6800U	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.16	3 A							不合规	EAR99	8541.21.00.75	无	无	功率MOSFET	HEXFET			e0		活跃		Tin/Lead (Sn/Pb)			雪崩额定		FET 通用电源		QUAD	无铅	未说明	unknown	18	MIL-19500/557	R-CQCC-N15	Qualified	单六进制漏八进制源双门	增强型MOSFET		SOURCE		SWITCHING					N-CHANNEL				3 A	1.15 Ω		12 A	400 V	N	0.51 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	25 W
IRHNS67264SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	40@12V	50	220(Max)@12V	6912@25V	250000	50(Max)	150(Max)	100(Max)	50(Max)	-55	150										EAR99	8541.29.00.95	功率MOSFET	Enhancement	1	250	±20																						Single																			N
JANSF2N7549T1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	103@12V		出口接触方式	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	-55 to 150	30	180(Max)@12V	7170@25V	208000	120(Max)	100(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	150	Military														活跃																	Single																			P
JANSF2N7589U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	88@12V	表面贴装	2.61(Max)	10.28(Max)	7.64(Max)	3	SMD-0.5											供应商未确认	出口接触方式	无	无	Enhancement	1	150	19	750000					活跃													3				Single																			N
2N7468U2JANSR	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	5.6@12V		表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2										不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	75	165(Max)@12V	6080@25V	250000	50(Max)	125(Max)	60(Max)	35(Max)	-55	150	Military					活跃													3				Single																			N
IRHM7460SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	3	SILICON	18	180(Max)@12V	3500@25V	250000	360@12V	59(Max)	93(Max)	90(Max)	29(Max)	-55	150	通孔		13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	150 °C	无	IRHM7460SE	SQUARE	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.31	18 A							不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20			e0		活跃		Tin/Lead (Sn/Pb)			AVALANCHE RATED; RADIATION HARDENED		FET 通用电源		SINGLE	PIN/PEG	未说明	unknown	3		S-MSFM-P3	不合格	Single	增强型MOSFET		ISOLATED		SWITCHING					N-CHANNEL		TO-254AA		18.8 A	0.36 Ω		72 A	500 V	N	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	250 W
JANTXV2N6768	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	2	SILICON	±20	14	110(Max)@10V	110(Max)	150000	400@10V	130(Max)	190(Max)	170(Max)	35(Max)	-55	150	Military		通孔	7.74(Max)	25.53(Max)	39.37(Max)	2	Tab	TO-3	通孔	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	无	JANTXV2N6768	ROUND	Microsemi Corporation	1	Obsolete	MICROSEMI CORP	7.73	TO-3	14 A							不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	400			e0	无	活跃		Tin/Lead (Sn/Pb)				8541.29.00.95			BOTTOM	PIN/PEG	未说明	not_compliant	3	MIL-19500	O-MBFM-P2	Qualified	Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING					N-CHANNEL		TO-204AA			0.3 Ω		56 A	400 V	N	700 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRH9150	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	2	SILICON	±20	22	200(Max)@10V	200(Max)	4300@25V	85@12V	150000	190(Max)	170(Max)	190(Max)	40(Max)	-55	150		通孔	7.74(Max)	26.63(Max)	39.37(Max)	2	Tab	TO-3	TO-204AE	HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	150 °C	无	IRH9150	ROUND	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.39	22 A							不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	100			e0		活跃	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)			HIGH RELIABILITY		其他晶体管		BOTTOM	PIN/PEG	未说明	unknown	3		O-MBFM-P2	不合格	Single	增强型MOSFET		DRAIN		SWITCHING					P-CHANNEL		TO-204AE		22 A	0.08 Ω		88 A	100 V	P	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	150 W
IRFC120NB	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	表面贴装	Die	Die	Infineon Technologies		无	无	HEXFET	100	Die	Die	EAR99	供应商未确认	Bulk	9.4A	-	-	Obsolete							-	HEXFET®			Obsolete								MOSFET (Metal Oxide)													-		210mOhm @ 9.4A, 10V	-	100 V	-														-
IRF5Y5305CMSCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	65@10V	通孔	10.92(Max)	5.08(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-257AA									供应商未确认	EAR99	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	55	±20	18	70(Max)@10V	70(Max)	1290@25V	75000	74(Max)	125(Max)	56(Max)	26(Max)	-55	150						活跃													3				Single																			P